Polyaniline was prepared by electrochemical oxidation of aniline in aqueous solution containing aniline and sulfuric acid. The polyaniline films were about 1 micron thick. The film surface was composed of randomly oriented fibrils with diameter of 1000-2000Å. The M/PDP/reduced polyaniline (PA)/Au MIS cells were fabricated by coating a thin plasma-polymerized poly(N, N''-diphenyl-p-phenylene diamine) (PDP) film on polyaniline and then a metal(M). The Al/PDP/PA/Au cell showed rectifying effect but the Al/PDP oxidized polyaniline/Au cell showed ohmic behavior. An activation energy of 0.13eV was estimated from the plot of log conductivity versus 1/T. A diffusion potential of 3.37V, an acceptor density of 2.25×10¹⁹/cm3, and a depletion layer width of 130Å were estimated from the plot of 1 /C² versus V.

아닐린과 황산이 함유된 수용액에서 아닐린을 전기화학적으로 산화시켜 폴리아닐린 필름을 제조했으며 필름의 두께는 1미크론 정도였다. 필름표면은 피브릴 구조를 나타내었고 각 피브릴은 직경이 1000-2000 옹스트롬이었으며 임의의 방향으로 배향되어 있었다. 폴리아 닐린 위에 프라즈다 중합된 폴리(N,N''-디페닐-p-페닐 렌디아민) (PDP) 박막과 금속(M) 막을 입혀 M/PDP/환원상태의 폴리아닐린(PA) /Au MIS 소자를 제조했다. Al/PDP/PA/Au 소자는 정류효과를 나타내었지만 Al/PDP/산화상태의 폴리아닐린/Au 소자는 오믹거동을 나타내었다. 로그전기 전도도 대 1/T의 그라프로부터 활성화에너지 0.13eV를 얻었으며 1/C²대 V의 그라프로부터 확산전위 3.37V. 전자 수용체 밀도 2.25×10¹⁹/cm3 및 공핍층폭 130 옹스트롬의 값을 얻었다.