Article
  • Lithium Ion Transport Characteristics of Gel-Type Polymer Electrolytes Containing Lithium p-[Methoxyoligo(ethyleneoxy)] benzenesulfonates
  • Heo Y, Kang Y, Han K, Lee C
  • 리튬 p-[메톡시 올리고(에틸렌옥시)] 벤젠설폰산염으로 제조된 젤형 고분자 전해질의 리튬 이온 운반 특성
  • 허윤정, 강영구, 한규승, 이창진
Abstract
Lithium p-[methyoxy oligo(ethyleneoxy)] benzenesulfonates (LiEOnBS) with different repeating unit of ethylene oxide were synthesized and were used for preparing gel-polymer electrolytes. The conductivities and lithium ion transference number were measured as a function of Li-salt concentration and repeating unit of ethylene oxide of the LiEOnBS. The maximum conductivity of the resulting gel-polymer electrolyte was found to be 4.89 x 10-4 S/cm (LiEO7.3BS, 0.5 M) at 30 ℃. The lithium ion transference number (tLi+)measurement were performed by means of the combination dc polarization and ac impedance methods in gel-polymer electrolytes. Lithium ion transference number was measured to be in the range of 0.75 ~ 0.92 for the LiEOnBS containing gel-polymer electrolytes. The maximum tLi+ was obtained to be 0.92 for the 0.1 M LiEO3BS containing polymer electrolytes. the synthesized LiEOnBS showed single ion transport like characteristics when n was large than 3.

본 연구에서는 에틸렌 옥사이드의 반복 단위 길이(n=3, 7.3, 11.8, 그리고 16.3)가 다른 리튬 p-[메톡시 올리고(에틸렌옥시)]벤젠설폰산염 (LiEOnBS)을 합성하였다. 이 전해질 염을 이용하여 고분자 전해질을 제조하였으며, 에틸렌 옥사이드의 반복 단위 길이 및 농도에 따른 이온전도도 그리고 리튬 이온의 운반율에 대해 조사하였다. 고분자 전해질의 이온 전도도는 30 ℃에서 4.89 x 10-4 S/cm (LiEO7.3BS, 0.5 M)로 최고 이온 전도도를 보였다. Dc 분극과 ac 임피던스를 혼합하여 측정한 고분자 전해질의 리튬 이온의 운반율은 0.75 ~ 0.92 이였으며, 농도가 증가할수록 리튬 이온 운반율은 감소하였다. LiEO3BS의 전해질 염을 0.1M로 사용한 고분자 전해질인 경우 0.92로 최고의 리튬 이온 운반율을 보였다. 이로부터 벤젠설포네이트에 치환된 에틸렌 옥사이드의 반복 단위가 3이상만 되어도 높은 리튬 이온 운반율을 가지는 단일 이온 전해질 특성을 보임을 알 수 있었다.

Keywords: poly(ethylene oxide); lithium salt; gel-polymer electrolyte; transference number; single ion conductor

  • Polymer(Korea) 폴리머
  • Frequency : Bimonthly(odd)
    ISSN 0379-153X(Print)
    ISSN 2234-8077(Online)
    Abbr. Polym. Korea
  • 2023 Impact Factor : 0.4
  • Indexed in SCIE

This Article

  • 2003; 27(4): 385-391

    Published online Jul 25, 2003

  • 10.7317/pk.
  • Received on Mar 26, 2003
  • Revised on Nov 30, -0001
  • Accepted on Jul 11, 2003

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