Article
  • Effect of Compatibilizer on the Structure Development of High Performance Epoxy/Polysulfone Blends
  • Yoon T, Choi HK, Kim BS, Nam JD, Lee DS
  • 고성능 에폭시/폴리설폰 블렌드의 상구조 형성에 대한 상용화제의 효과
  • 윤태성, 최형기, 김봉섭, 남재도, 이두성
Abstract
The effect of composition and reactive group(-COOH) content of reactive polysulfone (PSF) on the structure development of epoxy (EP)/PSF blends was investigated. The EP/PSF mixture, exhibited a LCST-type phase behavior. The morphology was measured by optical microscope. At the early stage of curing, the EP/PSF mixtures were homogeneous and transparent. By adding reactive PSF, the LCST shifts to high temperature region It is caused by the increase of miscibility between the two phase due to in-situ formation of EP-PSF graft copolymer via the reaction of EP with reactive PSF. The phase-separated structure having small periodic distance was obtained by adding reactive PSF. The structure coarsening at final stage is delayed by in-situ formation of PSF-EP graft copolymer so that the phase-separated structure can be fixed at the early stage of spinodal decomposition by the gelation of EP-rich phase.

에폭시/폴리설폰(EP/PSF) 블렌드의 상분리 구조형성에 있어서 상용화제로서 반응성 폴리설폰(PSF-COOH)을 첨가하여 그 함량 및 -COOH기의 농도에 대한 영향을 살펴보았다. 에폭시/폴리설폰 블렌드는 전형적인 하한임계온도(lower critical solution temperature, LCST) 형태의 상분리거동을 보여주었고, 경화반응 초기에는 전 조성에서 균일하고 투명한 상태를 보였지만, 경화반응이 진행됨에 따라 에폭시의 분자량이 증가하여 상분리가 일어났다. 반응성 폴리설폰 첨가에 의하여 하한임계온도가 고온 쪽으로 이동하여 넓은 영역에 걸쳐 단일상 영역을 보여주었다. 반응성 폴리설폰의 함량이 증가할수록 상분리된 분산상의 크기가 작아졌는데, 이는 EP와 반응성 PSF간의 화학반응으로 인한 in-situ formed EP-PSF 그라프트 공중합체가 생성되어, 상분리 초기과정에서 두 상간의 계면장력을 감소시키는 것과 동시에 EP rich상에서 겔화에 의하여 상분리 구조가 고정되는 것으로 생각된다.

Keywords: Phase-separation; Gelation; Reactive PSF; In-situ formed EP-PSF graft copolymer

  • Polymer(Korea) 폴리머
  • Frequency : Bimonthly(odd)
    ISSN 0379-153X(Print)
    ISSN 2234-8077(Online)
    Abbr. Polym. Korea
  • 2023 Impact Factor : 0.4
  • Indexed in SCIE

This Article

  • 1998; 22(4): 588-595

    Published online Jul 25, 1998

  • 10.7317/pk.
  • Received on Nov 30, -0001
  • Revised on Nov 30, -0001
  • Accepted on Nov 30, -0001

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